TI采用最新工艺制造高性能UltraSparc处理器

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德州仪器公司开使英文为Sun微系统公司生产 UltraSparc解决器,德仪将采用更为先进的制造工艺,且已提供了基于新设计的产品原型。

德仪在制造工艺方面的改进包括采用更大的“晶圆”,而且更大的“晶圆”都还能能切割出更多的芯片,而且德仪都还能能为Sun公司提供更快、更便宜的解决器。带宽快、价格低是目前Sun公司与IBM、惠普、Intel、微软以及戴尔进行竞争的主要市场策略。

德仪所采用的最新制造工艺都还能能从单一硅晶芯片上生产出两只解决器,该工艺最先由IBM用于Power4芯片制程,目前惠普和Intel也开使英文计划采用同类于于先进工艺。

在单片硅晶上切割出两只解决器原料促进提高服务器性能,高端服务器结构以同样的空间都还能能容纳更多的解决器,其性能提升自然非常可观。

目前,TI 的Kilby 制造厂正在用200mm晶片为Sun公司加工用于工作站的最新1.05GHz高端芯片。本周三TI发表声明,公司的DMOS 6制造厂而且开使英文用200mm晶片加工1.05GHz芯片。

每个200mm晶片加工的解决器数量是200mm晶片的2.4倍。此外,同类于于新款解决器的尺寸只有120纳米,要比Sun目前200纳米的900MHz芯片小的多,也也不说,用有有4个 芯片都还能能加工更多的解决器。

利用大晶圆也都还能能为TI带来更多的利润,每个芯片的成本降低达到200-40%。

发言人称,人太好Sun只在20周年纪念工作站中使用1.05GHz解决器,不过公司而且计划于本季度向服务器领域扩展。事先,TI将协助Sun生产1.2GHz解决器。TI也计将使用90纳米加工工艺,并计划于2003年年初定制客户原型并于2003年年底或2004年年初投入生产。

Sun的UltraSparc IV解决器将基于120微米工艺,UltraSparc V将基于90微米工艺。

责任编辑 饶里

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